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我司又一发明专利喜获授权

      近日,接国家知识产权局通知,我司申请的发明专利:《一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法》(申请号:201810149685.4)喜获授权。

      该专利公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法,该方法很好的解决了衬底PNP管中增益和耐压的折中实现问题。具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上,在紧贴基极一侧的集电区边缘加上第一层金属,使集电极第一层金属边缘覆盖于集电区之上,由于器件处于反向CE/EB/CB耐压工作状态下,耐压结边缘由于金属场板的覆盖,使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低,可以使BVcbo/BVceo/BVebo耐压增加,且不影响正向增益。

      这是我司2020年首个授权发明专利,也是公司第26个授权专利。通过多年的努力公司有了一定的专利储存量,这些专利成果的获取不仅提升了公司核心竞争力,也为公司后续的经营发展积蓄了前进的动力。


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